| 機関番号 | 13901 |
|---|---|
| 所属機関 | 名古屋大学 |
| 所属部局 | 工学研究科 |
| 職名 | 講師 |
| 研究者番号 | 50779551 |
| 氏名 | 久志本 真希 |
| 「KAKEN」へのリンク | 【ＫＡＫＥＮ閲覧】 |
| タイトル | ワイドギャップ半導体を用いた深紫外半導体レーザー |
| 研究成果トピックス | 【研究成果ﾄﾋﾟｯｸｽ閲覧】 |
| カテゴリ | [21.電気電子工学およびその関連分野] |
| 分野 | [窒化物半導体] [発光デバイス] |
| キーワード | [深紫外] [ワイドギャップ半導体] [レーザー] [ダイオード] [応力制御] |
| 主な採択課題 番号:課題名① | 21H04560：極微小深紫外半導体レーザダイオードの高出力化と新世代製造システム |
| 主な採択課題 番号:課題名② | 17K17800：半極性面InGaNを用いた長波長発光素子の作製 |
| 登録年度 | 2023 |